招待講演

  1. 塩津勇作，原拓実，菅原聡，“超低電圧リテンションSRAMのエネルギー最小点動作とそのBNNアクセラレータへの応用”，電子情報通信学会集積回路研究会，川崎市，神奈川，2022年4月12日．
  2. 塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“不揮発性SRAM：エッジコンピューティングの革新的低消費電力技術”，日本学術振興会先進薄膜界面機能創成委員会第6回研究会，オンライン，2021年10月4日．
  3. 菅原聡，“体温を用いた熱電発電モジュールの設計技術”，第26回日本熱電学会研究会「熱電デバイス実現のための実装技術開発の最前線」，オンライン，2021年7月15日．
  4. 北形大樹，周藤悠介，山本修一郎，菅原聡，“不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能”，電気情報通信学会集積回路研究会，港区，東京，2017年4月21日．
  5. Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara, “New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM”, 29th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama, Japan, March 28-31, 2016, paper 8-1.
  6. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “CMOS/スピントロニクス融合技術による待機時消費電力削減アーキテクチャ”, 応用物理学会スピントロニクス研究会, 千代田区, 東京, 2015年11月12日.
  7. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “ピエゾエレクトロニックトランジスタとそのロジック応用”, 平成26年春季 第61回応用物理学春季学術講演会, 相模原市, 神奈川, March 17-20, 2014, paper 18p-D10-6.
  8. 周藤悠介, 山本修一郎, 介川裕章, ZhenChao Wen, 中根了昌, 三谷 誠司, 田中雅明, 猪俣浩一郎, 菅原 聡, “ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能”, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 特集テーマ“IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）”, 港区, 東京, 2013年1月30日，paper 12.
  9. S. Sugahara, Y. Shuto, and S. Yamamoto, “Energy-efficient nonvolatile logic systems based on CMOS/spintronics hybrid technology”, the 222nd Meeting of the Electrochemical Society / the 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-Sate Science (PRIME), Honolulu, Hawaii, October 7-12, 2012, paper 2795.
  10. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “スピントロニクス/CMOS融合技術:スピントランジスタ・アーキテクチャ”, 平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 12p-H6-2.
  11. 菅原聡，周藤悠介，山本修一郎，“スピントロニクス/CMOS融合技術:スピン機能MOSFETとその低消費電力ロジック応用”，半導体・集積回路技術シンポジウム，平塚，神奈川，July 5-6, 2012, paper 15.
  12. 菅原聡, “CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望”, 電子情報技術産業協会平成23年度第5回省電力エレクトロニクス技術分科会, 大手町, 東京, January 6, 2012, paper 1.
  13. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望”, 電子情報通信学会技術研究報告「磁気記録・情報ストレージ」, 柏崎, 新潟, Octorber 13-14, 2011, paper MR2011-11, pp. 63-70.
  14. 菅原聡, “スピン機能MOSFET技術の展開”, 日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会, 日吉, 横浜, July 28-29, 2011, paper 3, pp18-24.
  15. 菅原聡, “スピントランジスタ・エレクトロニクス -不揮発性ロジックに基づく低消費電力集積回路の基盤技術-”, 平成23年春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 厚木市, 神奈川, March 24-27, 2011, paper 25a-KA-7, シンポジウム：ナノエレクトロニクス研究の国際連携
  16. Y. Shuto, Y. Takamura, and S. Sugahara, “Spin-functional MOSFETs based on half-metallic ferromagnet technology”, Workshop on Heusler Alloys and Their Spintronics Applications, Hokkaido University, Sapporo, Japan, January 26, 2011.
  17. 菅原聡, “スピン機能MOSFETとその集積エレクトロニクスへの応用”, 日本物理学会2010年秋大会, 堺, 大阪, September 23-26, 2010, paper 25pRP-9.
  18. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術”, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, Septemger 14-17, 2010, paper 15p-ZE-9.
  19. S. Sugahara, “Spin-functional MOSFETs: CMOS/spintronics hybrid technology”, The 6th Intl. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors, Tokyo, Japan, August 1-4, 2010, paper S-3, pp. 173-173.
  20. SONY
  21. S. Sugahara, “Spin-functional MOSFETs: Material, device, and circuit technologies”, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Shuzenji, Izu, July 14-16, 2010, paper SP-3, pp. 277-279.
  22. 菅原聡, “スピン機能MOSFETとその集積回路応用”, 日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会，仙台，宮城，November 2, 2009.
  23. S. Sugahara, “Spin-functional MOSFETs”, Intl. Symp. Silicon Nanodevices in 2030: Prospects by world’s leading scientists, Tokyo, Japan, October 13-14, 2009.
  24. 菅原聡, “エマージングメモリデバイスとCMOSの機能融合による新しいコンピュータアーキテクチャの基礎：イントロダクトリートーク”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月8日-11日, paper 9p-TA-1, 2009.
  25. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月8日-11日, paper 9p-TA-8.
  26. 山本修一郎, 菅原聡, 前島英雄, “マイクロプロセッサにおけるエマージングメモリデバイスへの期待”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月8日-11日, paper 9p-TA-4.
  27. 菅原聡, “スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開”, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM), 大岡山, 東京, July 16-17, 2009, テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
  28. S. Sugahara, and Y. Takamura, “SOI-Based Spin-Transistor Technologies”, 215th ECS Meeting, San Francisco, USA, May 24-29, 2009.
  29. S. Sugahara, “Nonvolatile Logic Technologies for Green IT”, The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK), Osaka, Japan, May 14-15, 2009, Tutorials.
  30. 菅原聡, “スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第111回研究集会, 大岡山, 東京, March 16, 2009, paper 6, テーマ: Siナノテクノロジーとスピントロニクス.
  31. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “スピン機能MOSFETによるスピントランジスタ・エレクトロニクス”, 応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共同主催研究会, 芝公園, 東京, Octorber 29, 2008, paper 5, pp. 136-141, スピントロニクスの基礎と応用：高密度・熱安定スピン材料・デバイスと集積回路技術.
  32. S. Sugahara, “Spin-Transistor Electronics with Spin-MOSFETs”, The 32nd Annual Conference on Magnetics in Japan, Tagajo, Japan, September 12-15, 2008, paper 12pB-7, p. 44, Symposium: Integration of Metallic and Semiconductor Systems in Spin Electronics.
  33. 菅原聡, 髙村陽太, 中根了昌, 周藤悠介, 山本修一郎, “スピンMOSFETを用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 3p-E-3, シンポジウム：シリコンナノエレクトロ二クス新展開－新材料導入によるシリコンプラットフォームの超機能化－.
  34. 中根了昌, 原田智之, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明, “シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 3p-CA-3, シンポジウム：半導体へのスピン注入とデバイス応用への展望.
  35. 菅原聡, “スピン機能MOSFETとその高機能ロジックへの展開－電荷とスピンの融合による新しい高性能・高機能集積回路技術－”, JST Innovation Bridge, 秋葉原, 東京, March 10, 2008, paper B2.
  36. 菅原聡, “スピンMOSFETとその高機能ロジックへの応用”, STRJワークショップ2007, 東京, March 6-7, 2008, paper 6E, 特別講演.
  37. 菅原聡, “シリコン・スピンエレクトロニクス ～材料・デバイス・回路～”, 日本半導体製造装置協会(SEAJ)講演会, 東京, September 13, 2007.
  38. 菅原聡，“シリコン・スピンエレクトロニクス ～材料・デバイス・回路～”, 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会第10回シリサイド系半導体夏の学校, 掛川, July 28-29, 2007, p. 12.
  39. S. Sugahara, “Perspective on Spin-Transistor Electronics”, The 2007 Intl. Meeting for Future of Electron Devices Kansai, Osaka, Japan, April 23-24, 2007, paper K-3, Session: Keynote speeches.
  40. S. Sugahara，“Perspective on Si-Based Spin-Transistor Electronics”, 3rd Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC3), Brussels, Belgium, April 16-19, 2007, Session: Nanoelectronics.
  41. 中根了昌, 杉浦邦晃, 田中雅明, 菅原聡, “シリコン中へのスピン注入とデバイス応用”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, March 27-30, 2007, paper 29p-ZT-5, シンポジウム:さまざまな物質へのスピン注入とその関連現象.
  42. 田中雅明, 中根了昌, 杉浦邦晃, 周藤悠介, 矢田慎介, 菅原聡, “IV族ベース・スピントロニクスデバイスと再構成可能な論理回路”, 第67回応用物理学会学術講演会, 草津, August 29 - September 1, 2006, paper 31p-RD-1.
  43. S. Sugahara, “Spin MOSFETs As a Basis for Silicon-Based Spin-Electronics”, 4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan, August 15-18, 2006, paper R-4, p. 153, Rump session: Future of Spintronics Devices.
  44. 菅原聡, “スピントランジスタの研究動向”, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催第34回薄膜・表面セミナー, 東京, July 20-21, 2006, pp. 59-70．
  45. 菅原聡, “スピントランジスタ－スピンと電荷の融合が生み出す新機能デバイス－”, 日本応用磁気学会第145回研究会, 東京, January 30, 2006, pp. 13-22．
  46. S. Sugahara, “MOSFET Type of Spin Transistor As a Beyond-CMOS Device Using Spin Degrees of Freedom”, 2005 Intl Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, Japan, September 13-15, 2005, Rump session: Beyond the Scaling Limit-Innovative Devices and Materials-.
  47. S. Sugahara, “Spin MOSFETs for Integrated Spin-Electronics”, 6th Intl Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), Asheville, USA, August 29 - September 1, 2005, Panel Session III: Beyond-CMOS Electronic Devices.
  48. S. Sugahara, “Spin MOSFETs As a Basis for Integrated Spin Electronics”, 5th IEEE conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO 2005), Nagoya, Japan, July 11-15, 2005, paper TU-P5-1, p. 24.
  49. 菅原聡, “スピントランジスタ”, 応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会, 東京, December 8, 2005, pp. 70-79.
  50. 菅原聡, “スピン素子の現状と今後の展望”, 電気学会「超微細・低電力デバイス集積技術調査専門委員会」「超高速デバイス・回路技術調査専門委員会」合同調査専門委員会, 東京, December 1, 2005, paper 2.
  51. 菅原聡, “スピントランジスタとその集積エレクトロニクスへの応用”, 応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会, 東京, October 24, 2004, paper 5．
  52. 菅原聡, 田中雅明, “シリコンをベースとしたスピンエレクトロニクス”，第51回応用物理学関係連合学術講演会, 東京, March 28-31, 2004, paper 29p-ZK-6, シンポジウム：スピンエレクトロニクスの応用～MRAMから新機能デバイスまで～.
  53. 菅原聡, 田中雅明, “スピンMOSFETとその応用”，日本応用磁気学会第134回研究会/第21回磁性人工構造膜の物性と機能専門研究会，東京, January 29-30, 2004, pp. 93-100．
  54. 菅原聡, 田中雅明, “半導体スピンエレクトロニクス最前線”, 日本学術振興会薄膜第131委員会第216回研究会, 仙台, June 20, 2003, pp. 21-24.
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