国内会議・研究会・大会（2000年以降）

  1. 塩津勇作，山崎修，菅原聡，“FinFETを用いた低電圧駆動NV-SRAMのパワーゲーティング性能”，第71回応用物理学会春季学術講演会，世田谷区，東京，2022年3月，paper 22a-12J-5.
  2. 塩津勇作，菅原聡，“ピエゾエレクトロニックトランジスタで構成した超低電圧SRAMのばらつき耐性”，第71回応用物理学会春季学術講演会，世田谷区，東京，2022年3月，paper 22a-12J-6.
  3. 塩津勇作，菅原聡，“並列化MACユニットを有するULVR-SRAMを用いたBNNアクセラレータマクロ”，第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本市，熊本，2023年9月19日-23日，paper 20a-A304-11.
  4. 伊藤克俊，塩津勇作，菅原聡，“新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)マクロの設計と性能解析”，第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本市，熊本，2023年9月19日-23日，paper 20a-A304-10.
  5. 伊藤克俊，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)セルの提案”，第83回応用物理学会秋季学術講演会，仙台市，宮城，2022年9月20日-23日，paper 21a-C105-5.
  6. 加藤豪人，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ニアスレッショルド電圧駆動ULVR-SRAMのパワーゲーティング性能”，第83回応用物理学会秋季学術講演会，仙台市，宮城，2022年9月20日-23日，paper 21a-C105-6.
  7. 山崎修，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計”，第83回応用物理学会秋季学術講演会，仙台市，宮城，2022年9月20日-23日，paper 21a-C105-4.
  8. 塩津勇作，菅原聡，“ULVR-SRAMを用いたニューラルネットワークアクセラレータの性能”，第69回応用物理学会春季学術講演会，相模原市，神奈川，2022年3月22日-26日，paper 23p-E307-5.
  9. 矢野広気，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ”，第69回応用物理学会春季学術講演会，相模原市，神奈川，2022年3月22日-26日，paper 23p-E307-6.
  10. 佐貫海斗，遠藤弘之，塩津勇作，菅原聡，“各種層間絶縁材料を用いたトランスバース型薄膜μTEGの高精度集中定数回路モデル”，第69回応用物理学会春季学術講演会，相模原市，神奈川，2022年3月22日-26日，paper 24p-E205-12.
  11. 松﨑翼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“バルクデバイスを用いた超低電圧リテンションFlip-Flopの設計と解析”，第82回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2021年9月10日-13日，paper 12p-N304-5.
  12. 斎藤修平，塩津勇作，原拓実，山本修一郎，菅原聡，“ボディバイアス制御ULVR-SRAMの設計と解析”，第82回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2021年9月10日-13日，paper 12p-N304-6.
  13. 原拓実，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMマクロの設計と解析”，第82回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2021年9月10日-13日，paper 12p-N304-7.
  14. 塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ULVR-SRAMを用いたBNNアクセラレータの提案と性能予測”，第82回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2021年9月10日-13日，paper 12p-N304-8.
  15. 遠藤弘之，塩津勇作，菅原聡，“薄膜トランスバース型マイクロTEG モジュールの簡略化集中定数回路モデル”，第82回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2021年9月10日-13日，paper 10p-N406-4.
  16. 塩津勇作，吉田隼，山本修一郎，菅原聡，“ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能”，LSIとシステムのワークショップ2021，オンライン，2021年5月10日-11日，poster 29.
  17. 原拓実，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ニアスレッショルド電圧動作超低電圧リテンションSRAMの設計と性能解析”，LSIとシステムのワークショップ2021，オンライン，2021年5月10日-11日，poster 55.
  18. 原拓実，吉田隼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17a-Z26-4.
  19. 塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)のエネルギー極小点動作”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17a-Z26-5.
  20. 吉田隼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“ULVR-SRAMを用いたキャッシュのパワーゲーティング性能”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17a-Z26-6.
  21. 瀧口憲一郎，塩津勇作，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡，“超低電圧リテンションフリップフロップ（ULVR-FF）のエネルギー極小点動作”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17a-Z26-7.
  22. 熊谷颯人，塩津勇作，遠藤弘之，菅原聡，“シリコンナノワイヤを用いたトランスバース型マイクロTEGモジュールのモデリング”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17p-Z17-1.
  23. 遠藤弘之，塩津勇作，熊谷颯人，菅原聡，“薄膜トランスバース型マイクロTEGモジュールの高精度モデリング”，第68回応用物理学会春季学術講演会，オンライン，2021年3月16日-19日，paper 17p-Z17-2.
  24. 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“各種リテンションSRAMのパワーゲーティングにおける電力削減効率に関する電源遮断可能時間分布の影響”，第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2020年9月8日-11日，paper 11a-Z09-11.
  25. 塩津勇作，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“新型超低電圧リテンションSRAMマクロの設計と解析”，第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2020年9月8日-11日，paper 11a-Z09-10.
  26. 瀧口憲一郎，北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡，“新型超低電圧リテンションFFの提案”，第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2020年9月8日-11日，paper 11a-Z09-12.
  27. 北形大樹，吉田隼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡，“新型超低電圧リテンションSRAMセルの設計と解析”，第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2020年9月8日-11日，paper 11a-Z09-9.
  28. 熊谷颯人，塩津勇作，遠藤弘之，菅原聡，“シリコンナノワイヤを用いたトランスバース型マイクロTEGモジュールの高出力設計”，第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン，2020年9月8日-11日，paper 11a-Z09-9.
  29. 原拓実，吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析”，第67回応用物理学会春季学術講演会，千代田区，東京，2020年3月12日-15日，paper 12p-A305-10.
  30. 熊谷颯人，塩津勇作，遠藤弘之，菅原聡，“シリコンナノワイヤを用いたトランスバース型マイクロTEGモジュールの完全最適設計とその性能”，第67回応用物理学会春季学術講演会，千代田区，東京，2020年3月12日-15日，paper 13a-D511-2．
  31. 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“新型擬似不揮発性SRAMセルの提案”，第67回応用物理学会春季学術講演会，千代田区，東京，2020年3月12日-15日，paper 12p-A305-9．
  32. 塩津勇作，遠藤弘之，熊谷颯人，菅原聡，“ホイスラー合金を用いた薄膜トランスバース型マイクロTEGモジュールの最適設計”，第67回応用物理学会春季学術講演会，千代田区，東京，2020年3月12日-15日，paper 13a-D511-1．
  33. 遠藤弘之，熊谷颯人，塩津勇作，菅原聡，“薄膜トランスバース型μTEGモジュールの最適構造における層間絶縁材料の影響”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 19a-E307-1．
  34. 原拓実，吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“各種リテンション技術を用いたSRAMのパワーゲーティング性能”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 18a-B11-10.
  35. 熊谷颯人，塩津勇作，遠藤弘之，菅原聡，“シリコンナノワイヤを用いたトランスバース型マイクロTEGモジュールの最適設計”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 19a-E307-2．
  36. 瀧口憲一郎，北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡，“不揮発/擬似不揮発性FFを用いたパワーゲーティングの性能評価”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 18a-B11-9.
  37. 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“不揮発/擬似不揮発記憶を用いたSRAMのパワーゲーティング性能”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 18a-B11-8．
  38. 塩津勇作，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，菅原聡，“新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタを用いたFFの設計と性能”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 18a-B11-7.
  39. 北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“NV-SRAMを用いたUseless dataの積極的破棄による不揮発性パワーゲーティング”，第80回応用物理学会秋季学術講演会，札幌市，北海道，2019年9月18日-21日，paper 18a-B11-11.
  40. 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析”，第66回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2019年3月9日-12日，paper 10p-S221-6．
  41. 熊谷颯人，塩津勇作，大久保岳，菅原聡，“薄膜π型マイクロTEGモジュールの最適設計における熱電材料膜厚の影響”，第66回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2019年3月9日-12日，paper 9p-W351-5．
  42. 塩津勇作，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，菅原聡，“新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用”，第66回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2019年3月9日-12日，paper 10p-S221-7．
  43. 北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡，“擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能”，第66回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2019年3月9日-12日，paper 10p-S221-5.
  44. 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性SRAMの設計と解析”，第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋市，愛知，2018年9月18日-21日，paper 20a-CE-6.
  45. 熊谷颯人，塩津勇作，大久保岳，菅原聡，“各種層間絶縁膜を用いた薄膜π型マイクロTEGモジュールの最適設計”，第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋市，愛知，2018年9月18日-21日，paper 21p-438-3．
  46. 塩津勇作，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，菅原聡，“新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計方法”，第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋市，愛知，2018年9月18日-21日，paper 21a-CE-8．
  47. 北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性FFの設計と解析”，第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋市，愛知，2018年9月18日-21日，paper 20a-CE-5.
  48. 塩津勇作，山本修一郎，周藤悠介，舟窪浩，黒澤実，菅原聡，“新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能”，第65回応用物理学会春季学術講演会，新宿区，東京，2018年3月17日-20日，paper 18p-G203-7．
  49. 大久保岳，千脇那菜，清野稔仁，山下涼音，菅原聡，“真空/絶縁体ハイブリッドアイソレーションを用いた薄膜トランスバース型μTEGの設計と性能”，第65回応用物理学会春季学術講演会，新宿区，東京，2018年3月17日-20日，paper 17p-F102-2．
  50. 清野稔仁，山下涼音，千脇那菜，菅原聡，“真空/絶縁体ハイブリッドアイソレーションを用いた薄膜π型μTEGの設計と性能”，第65回応用物理学会春季学術講演会，新宿区，東京，2018年3月17日-20日，paper 17p-F102-1．
  51. 北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能”，第65回応用物理学会春季学術講演会，新宿区，東京，2018年3月17日-20日，paper 18p-G203-3．
  52. 高村陽太，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，中川茂樹，菅原聡，“ピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイスとその低電圧MRAMへの応用”，第65回応用物理学会春季学術講演会，新宿区，東京，2018年3月17日-20日，paper 18p-G203-8．
  53. 山下涼音，清野稔仁，千脇那菜，菅原聡，“真空アイソレーションを用いた薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの性能限界”，第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡市，福岡，2017年9月5日-7日，paper 5p-A503-10．
  54. 千脇那菜，清野稔仁，山下涼音，菅原聡，“薄膜トランスバース型ナノTEGモジュールの設計と性能予測”，第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡市，福岡，2017年9月5日-7日，paper 5p-A503-9．
  55. 清野稔仁，山下涼音，千脇那菜，菅原聡，“薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの設計と性能”，第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡市，福岡，2017年9月5日-7日，paper 5p-A503-11．
  56. 北形大樹，山本修一郎，菅原聡，“強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力”，第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡市，福岡，2017年9月5日-7日，paper 8p-C18-8．
  57. 北形大樹，周藤悠介，山本修一郎，菅原聡，“不揮発性SRAMの設計とエネルギー性能の解析”，第64回応用物理学会春季学術講演会，横浜市，神奈川，2017年3月14日-17日，paper 16a-412-7.
  58. 清野稔仁，悪七泰樹，菅原聡，“CoFe/HfO2/Siスピン注入源の作製と評価”，第64回応用物理学会春季学術講演会，横浜市，神奈川，2017年3月14日-17日，paper 16a-501-11.
  59. 近藤剛，千脇那菜，菅原聡，“薄膜熱電材料を用いた熱電発電モジュールの設計と性能”，，第64回応用物理学会春季学術講演会，横浜市，神奈川，2017年3月14日-17日，paper 15p-E206-2.
  60. 千脇那菜，近藤剛，菅原聡，“薄膜トランスバース型マイクロ熱電発電モジュールの設計と性能予測”，第64回応用物理学会春季学術講演会，横浜市，神奈川，2017年3月14日-17日，paper 15p-E206-3.
  61. 北形大樹，悪七泰樹，菅原聡，“電界アシスト4端子非局所MOSデバイスの解析と設計”，第21回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-21)，札幌市，北海道，2016年12月12日-13日，paper E-3.
  62. 清野稔仁，悪七泰樹，菅原聡，“CoFe/Hf系酸化物/Siスピン注入源の作製と評価”，第21回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-21)，札幌市，北海道，2016年12月12日-13日，paper P-12.
  63. 近藤剛，千脇那菜，菅原聡，“高密度集積化薄膜トランスバース型マイクロ熱電発電モジュールの設計”，第13回日本熱電学会学術講演会，葛飾区，東京，2016年9月5日-7日，paper S2B-6.
  64. T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara, “Spin accumulation in an Si channel using a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector”，第63回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2016年3月19日-21日，paper 21p-W241-7.
  65. D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara, “Design and analysis of electric-field-assisted four-terminal nonlocal Si-channel MOS devices”，第63回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2016年3月19日-21日，paper 21p-W241-6.
  66. 近藤剛，高村陽太，菅原聡，“高密度集積化マイクロ熱電発電モジュールの設計法”，第63回応用物理学会春季学術講演会，目黒区，東京，2016年3月19日-21日，paper 21p-W323-11.
  67. T. Kondo, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara, "Fabrication of high quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si tunnel contacts for Si-channel spin devices", 第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20), 仙台市, 宮城, 2015年12月3日-4日, paper D-2.
  68. 生瀬裕之, 悪七泰樹, 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡, "CoFe/TiO2/Siトンネルコンタクトを用いたSiへのスピン注入", 第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20), 仙台市, 宮城, 2015年12月3日-4日, paper P-13.
  69. D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara, "Design of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices", 第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20), 仙台市, 宮城, 2015年12月3日-4日, paper P-15.
  70. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較”, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋市, 愛知, 2015年9月13日-16日, paper 15p-1C-4.
  71. Yota Takamura, Shigeki Nakagawa, Satoshi Sugahara, "Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction for spin-transfer torque MTJs", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋市, 愛知, 2015年9月13日-16日, paper 15a-3A-5.
  72. 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡, “Spin injection into Si channels using high-quality CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts”, 第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-19), 文京区, 東京, Dec. 15-16, 2014, paper O-5.
  73. 髙村陽太, 悪七泰樹, 周藤悠介, 菅原聡, “Nonlocal spin devices using electrical-field-induced spin-transport acceleration”, 第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-19), 文京区, 東京, Dec. 15-16, 2014, paper O-6.
  74. 周藤悠介, 高橋克典, 悪七泰樹, 髙村陽太, 菅原聡, “Fabrication and characterization of a CoFe/TiO2/Si spin injector”, 第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-19), 文京区, 東京, Dec. 15-16, 2014, paper P-18.
  75. 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡, “スピン蓄積デバイスにおける Hanle 効果の解析”, 第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-19), 文京区, 東京, Dec. 15-16, 2014, paper P-19.
  76. 川目悠, 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡, “Fabrication of a (100)-oriented Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Si tunnel contact and its spin injector application”, 第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-19), 文京区, 東京, Dec. 15-16, 2014, paper P-20.
  77. 髙村陽太, 悪七泰樹, 周藤悠介, 菅原聡, “3端子スピン蓄積デバイスにおけるHanle効果信号の解析”, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 横浜市, 神奈川, Sept. 2-5, 2014, paper 4aD-1.
  78. 悪七泰樹, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡, “ラジカル酸素アニールによる高品質トンネル障壁を有するCoFe/MgO/Si およびCoFe/AlOx/Si コンタクトを用いたスピン蓄積の評価”, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 横浜市, 神奈川, Sept. 2-5, 2014, paper 4aD-2.
  79. 川目悠, 悪七泰樹, 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡, “B2型Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Si スピン注入源の作製と評価”, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 横浜市, 神奈川, Sept. 2-5, 2014, paper 4aD-3.
  80. 高橋克典, 悪七泰樹, 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡, “CoFe/TiO2/Siトンネルコンタクトの作製とそのスピン注入源への応用”, 第38回 日本磁気学会学術講演会, 横浜市, 神奈川, Sept. 2-5, 2014, paper 4aD-4.
  81. 髙村陽太, 悪七泰樹, アディユダサドノ, 周藤悠介, 菅原聡, “Analysis of Hanle-effect signals observed in a Si-channel spin-accumulation device with a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector”, 平成26年春季 第61回応用物理学春季学術講演会, 相模原市, 神奈川, March 17-20, 2014, paper 17a-E7-22.
  82. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “FinFETを用いた擬似スピンMOSFETとその不揮発性SRAMへの応用”, 平成26年春季 第61回応用物理学春季学術講演会, 相模原市, 神奈川, March 17-20, 2014, paper 19a-F12-6.
  83. 髙村陽太, 中川茂樹, 菅原聡, “X線回折を用いたフルホイスラー合金の規則構造評価技術”, マグネティクス研究会, テーマ「光機能性デバイス・磁気応用一般」, 千代田区, 東京, 2013年7月9日, paper MAG-13-064.
  84. Adiyudha Sadono, 悪七泰樹, 置塩貴雄, 周藤悠介, 菅原聡, "Highly efficient spin injection into silicon using ferromagnetic tunnel contact with radical-oxidation-formed MgO barrier", 2013年 第60回応用物理学春季学術講演会, 厚木市, 神奈川, March 27-30, 2013, paper 28a-A7-2.
  85. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, "ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計", 2013年 第60回応用物理学春季学術講演会, 厚木市, 神奈川, March 27-30, 2013, paper 28a-G9-7.
  86. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, "擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用", 2013年 第60回応用物理学春季学術講演会, 厚木市, 神奈川, March 27-30, 2013, paper 28a-G9-8.
  87. 佐藤充浩, 冨永琢郎, 川目悠, 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “高品質フルホイスラー合金Co2FeSi1-xAlxの形成と仕事関数制御”, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 11p-H6-5.
  88. 髙村陽太, 菅原聡, “スピンMOSFETにおけるHanle効果の解析(2)”, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 11p-PA2-5.
  89. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープモード動作とその応用”, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 13a-F4-8.
  90. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：BETにおける静的リーク電流の影響”, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 12p-PB10-5.
  91. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, “擬似スピンMOSFET技術を用いたFPGAの不揮発性パワーゲーティング”, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 松山市, 愛媛, 2012年9月11日-14日, paper 12p-PB10-6.
  92. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析”, 電子通信学会集積回路研究会(ICD)シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催研究会, 札幌, 北海道, 2012年8月1日-2日，paper 14.
  93. 周藤悠介，山本修一郎，菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スタティックノイズマージン評価”, 2012年度春季 第59回応用物理学関係連合講演会，2012年3月15-18，新宿，東京，早稲田大学，paper 16p-A1-19.
  94. 髙村陽太, 林建吾， 影井泰次郎, 周藤悠介, 菅原聡, “ラジカル酸窒化膜を用いたCFS/SiOxNy/Siトンネル接合の形成と構造評価”, 第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16), 目黒，東京工業大学大岡山キャンパス, 2011年11月28日-29日, paper C5, p. 41.
  95. 置塩貴雄, 髙村陽太, 菅原聡, “CoFe/Mg/AlOx/Siデピン接合を用いた低バリア強磁性ソース/ドレインMOSFET”, 第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16), 目黒，東京工業大学大岡山キャンパス, 2011年11月28日-29日, paper P16, p. 75.
  96. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：スリープ時リーク電流削減効果”, 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 山形市, 山形, paper 1p-P10-23.
  97. 髙村陽太, 林建吾, 周藤悠介, 菅原聡, “ラジカル酸窒化法を用いたCo2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成”, 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 山形, 山形大学小石川キャンパス, 2011年8月29日-9月2日, paper 30a-ZS-12.
  98. 髙村陽太, 菅原聡, “スピンMOSFETにおけるHanle効果の解析”, 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 山形, 山形大学小石川キャンパス, 2011年8月29日-9月2日, paper 1p-P10-24.
  99. 置塩貴雄, 髙村陽太, 菅原聡, “CoFe/Mg/AlOx/Siトンネル構造をソース/ドレインに用いたスピンMOSFETの作製”, 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 山形, 山形大学小石川キャンパス, 2011年8月29日-9月2日, paper 1p-P10-25.
  100. 佐藤充浩, 髙村陽太, 菅原聡, “RTAを用いたフルホイスラー合金Co2FeSi1-xAlxの形成と評価(2)”, 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 厚木市, 神奈川, March 24-27, 2011, paper 25a-KM-11.
  101. 林建吾, 髙村陽太, 周藤悠介, 菅原聡, “RTA法を用いたCo2FeSiの形成における初期多層膜構造の影響”, 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 厚木市, 神奈川, March 24-27, 2011, paper 25a-KM-10.
  102. 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡, “非局所配置マルチターミナルデバイスの数値解析シミュレーション”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 16a-A-10.
  103. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：ストア時の書き込み電流制御”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 16a-A-3.
  104. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：セルリーク電流とBETの削減”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 17a-ZE-7.
  105. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMと不揮発性DFFのFPGA応用”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 16a-A-2.
  106. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：静的リーク電流とBETの削減”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 17a-ZE-6.
  107. 櫻井卓也, 髙村陽太, 中根了昌, 周藤悠介, 菅原聡, “RTAによるフルホイスラー合金Co2FeGe薄膜のエピタキシャル形成”, 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎市, 長崎, September 14-17, 2010, paper 14p-F-7.
  108. 周藤悠介, 中根了昌, Wenhong Wang, 介川裕章, 山本修一郎, 田中雅明, 猪俣浩一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETの作製と評価”, 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 神奈川, March 17-20, 2010, paper 17a-ZJ-9.
  109. 山本修一郎, 菅原聡, “抵抗変化素子を用いたばらつき補償CMOSゲート”, 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 神奈川, March 17-20, 2010, paper 17a-A-5.
  110. 林建吾, 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “Co2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成とその構造評価”, 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 神奈川, March 17-20, 2010, paper 17a-ZH-5.
  111. 佐藤充浩, 髙村陽太, 菅原聡, “RTAを用いたフルホイスラー合金Co2FeAlxSi1-xの形成と評価”, 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 神奈川, March 17-20, 2010, paper 17a-ZH-4.
  112. 髙村陽太, 菅原聡, “Co線源X線回折を用いたフルホイスラー合金の不規則構造評価法の提案”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山市, 富山, September 9-11, 2009, paper 10p-ZE-3.
  113. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：電源遮断動作消費電力の評価”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山市, 富山, September 9-11, 2009, paper 10a-TA-5.
  114. 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：バルーンDFFとの比較”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山市, 富山, September 9-11, 2009, paper 10a-TA-6.
  115. Sanjeewa Dissanayake, 富山健太郎, 周藤悠介, 菅原聡, 竹中充, 高木信一, “超薄膜(110)面GOI p型MOSFETの電気的特性”, 平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 富山市, 富山, September 9-11, 2009, paper 11p-TH-3.
  116. 髙村陽太, 中根了昌, 周藤悠介, 菅原聡, “不純物偏析技術を用いたCo2FeSiソース/ドレインMOSFETの作製と評価”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 1p-TB-9.
  117. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM：情報ストア動作解析”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 1p-TB-8.
  118. 山本修一郎, 菅原聡, “スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性Dフリップフロップ”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 1p-TB-6.
  119. 林建吾, 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “極薄絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成とその評価”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 1a-Q-5.
  120. 山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡, “ノンポーラ型抵抗変化素子を用いた不揮発性SRAM”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 2a-P16-15.
  121. 菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎, “抵抗変化素子を用いたFunctional MOSFET/CMOS”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 2a-P16-14.
  122. 山本修一郎, 菅原聡, “ノンポーラ型抵抗変化素子のSPICEモデル”, 第56回応用物理学関連連合講演会, つくば, 茨城, March 30 - April 2, 2009, paper 2a-P16-13.
  123. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMの提案と解析”, 第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13), 仙台, 宮城, January 27-28, 2009, paper E-4, p. 42.
  124. 林建吾, 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “非晶質絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成と評価”, 第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13), 仙台, 宮城, January 27-28, 2009, paper B-3, p. 9.
  125. S. Sugahara, “Spin-Transistor Electronics with Spin-MOSFETs”, 第32回日本磁気学会学術講演会, 多賀城, 宮城, September 12-15, 2008, paper 12pB-7.
  126. 菅原聡, 髙村陽太, 中根了昌, 周藤悠介, 山本修一郎, “スピンMOSFETを用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 3p-E-3.
  127. 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “RTAによって作製したフルホイスラー合金Co2FeSiの規則度”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 2a-ZR-6.
  128. 林建吾, 髙村陽太, 中根了昌, 菅原聡, “非晶質絶縁膜上に形成したフルホイスラー合金Co2FeSiの結晶構造評価”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 2a-ZR-7.
  129. 山本修一郎, 菅原聡, “スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：通常動作時消費電力の削減”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 5a-R-11.
  130. 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡, “Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM：消費電力削減の効果”, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 愛知, September 2-5, 2008, paper 5a-R-12.
  131. 菅原聡, 山本修一郎, “スピン注入磁化反転を用いたpseudo-spin-MOSFETの動作解析”, 第55回応用物理学会関連連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 30p-F-6.
  132. 山本修一郎, 菅原聡, “スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：仮想接地セルアーキテクチャ”, 第55回応用物理学会関連連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 30p-F-7.
  133. 山本修一郎, 菅原聡, “スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：Vhalfの影響”, 第55回応用物理学会関連連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 30p-F-8.
  134. 髙村陽太, 長浜陽平, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡, “RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造”，第55回応用物理学会関連連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 28a-F-4.
  135. 遠藤裕幸, 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “強磁性半導体Ge1-xFex薄膜におけるアニール効果”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 船橋, 2008年3月27日- 30日, paper 29a-X-1
  136. 森井清仁, Sanjeewa Dissanayake, 田辺聡, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, “メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 29a-P11-15.
  137. 田辺聡, 中北要佑, 原田智之, Sanjeewa Dissanayake, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, “GOI pMOSFETの正孔反転層における移動度の評価”, 第55回応用物理学関係連合講演会, 船橋, 千葉, March 27-30, 2008, paper 28p-ZR-9.
  138. 菅原聡, “スピン機能MOSFETとその高機能ロジックへの展開－電荷とスピンの融合による新しい高性能・高機能集積回路技術－”, JST Innovation Bridge, 東京, March 10, 2008, paper B2.
  139. 菅原聡, “スピンMOSFETとその高機能ロジックへの応用”, STRJワークショップ2007, 東京, March 6-7, 2008, paper 6E.
  140. 菅原聡, “シリコン・スピンエレクトロニクス ～材料・デバイス・回路～”, 日本半導体製造装置協会(SEAJ)講演会, 東京, September 13, 2007.
  141. 髙村陽太, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡, “Germanium-on-insulator (GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 5a-S-2.
  142. 髙村陽太, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡, “RTAを用いた非晶質絶縁膜上へのホイスラー合金の形成とその評価”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 5a-S-1.
  143. 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, “Siキャップ層による強磁性Fe3Si薄膜形成温度の低温化”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 5a-S-9.
  144. 矢田慎介, 田中雅明, 菅原聡, “Si(001), Si(110), Si(111)基板上へのMnドープGe薄膜のエピタキシャル成長と磁性”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 5a-S-10.
  145. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “Si(001)基板上にエピタキシャル成長した強磁性半導体Ge1-xFex薄膜の結晶性と磁性”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 5a-S-11.
  146. 山本修一郎, 菅原聡, “強磁性トンネル接合を用いたpseudo spin-MOSFETの提案と理論解析”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-S-16.
  147. 山本修一郎, 菅原聡, “Pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFETの不揮発性SRAM/ラッチ回路への応用”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-S-17.
  148. 山本修一郎, 菅原聡, “スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-S-18.
  149. Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 周藤悠介, 菅原聡, 高木信一, “酸化濃縮法による(110)面超薄膜GOIpMOSFETデバイス作製”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-ZL-2, 【講演奨励賞受賞記念講演】.
  150. Sanjeewa Dissanayake, 周藤悠介, 菅原聡, 竹中充, 高木信一, “酸化濃縮法で作成された(110)面GOI基板ヘのアニール効果”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-ZL-3.
  151. 星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一, “微小孔を介したSi 基板上InGaAs 成長におけるモフォロジー向上”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-E-13.
  152. 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭, “Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御”, 第68回応用物理学会学術講演会, 札幌, 北海道, September 4-8, 2007, paper 7p-E-14.
  153. 菅原聡, “シリコン・スピンエレクトロニクス ～材料・デバイス・回路～”, 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会第10回シリサイド系半導体夏の学校, 掛川, 静岡, July 28-29, 2007, p. 12.
  154. 中根了昌, 杉浦邦晃, 田中雅明, 菅原聡, “シリコン中へのスピン注入とデバイス応用”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 29p-ZT-5.
  155. 髙村陽太, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡, “Silicon-on-insulator (SOI) 基板を用いたホイスラー合金の作製とその磁性評価”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 2007, 28a-ZT-9.
  156. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, "Si(001)基板上への強磁性半導体Ge1-xFex薄膜のMBE成長と評価", 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 2007, 27p-ZT-6.
  157. 矢田慎介,田中雅明, 菅原聡, "エピタキシャル成長した強磁性Ge1-xMnx薄膜の構造と磁性の評価", 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 2007, 27p-ZT-5.
  158. 熊谷寛，七条真人，松原寛，菅原聡，内田恭敬，高木信一, “Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 30a-ZH-9.
  159. 西川昌志, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一, “オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe酸化膜/Ge MOS構造の電気特性”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 2007, 30a-ZH-10.
  160. 松原寛，熊谷寛，菅原聡，高木信一, “低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 30a-ZH-11.
  161. Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 周藤悠介, 菅原聡, 高木信一, “酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 27a-SC-2.
  162. 田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, “GOI(Ge-On-Insulater)MOSチャネル中の正孔の速度-電界特性”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 27a-SC-10.
  163. 高木信一, 杉山正和, 菅原聡, “III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 27a-SC-11.
  164. 上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, “原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 28a-ZQ-9.
  165. 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭, “Si上高品質III/V族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPEバッファ層の初期成長過程観察”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper 30p-Q-3.
  166. 星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一, “Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性”, 第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原, 神奈川, March 27-30, 2007, paper, 30p-Q-4.
  167. 菅原聡, “スピントランジスタの研究動向”, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催第34回薄膜・表面セミナー, 東京, July 20, 2006, pp. 59-70.
  168. 菅原聡, “スピントランジスタ”, 日本応用磁気学会第145回研究会, 東京, January 30, 2006, pp.13-22．
  169. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “GeおよびSi基板上への強磁性半導体Ge1-xFex薄膜のエピタキシャル成長”, 第11回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会 (Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors: PASPS-11), 柏, 千葉, December 14-15, 2006, paper PA13, pp. 30-31.
  170. Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一, “(110)面SiGe/SOI構造の酸化濃縮による(110)GOI基板の作成”, 第67回応用物理学会学術講演会, 草津, 滋賀, August 29 - September 1, 2006, paper 31p-ZG-15.
  171. 矢田慎介, 田中雅明, 菅原聡, “Ge1-xMnx薄膜の成長速度制御による相分離抑止エピタキシャル成長とその磁性”, 第67回応用物理学会学術講演会, 草津, 滋賀, August 29 - September 1, 2006, paper 31a-ZK-9.
  172. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “強磁性半導体Ge1-xFexにおける結晶構造と強磁性との相関”, 第67回応用物理学会学術講演会, 草津, 滋賀, August 29 - September 1, 2006, paper 31a-ZK-8.
  173. 田中雅明, 中根了昌, 杉浦邦晃, 周藤悠介, 矢田慎介, 菅原聡, “IV族ベース・スピントロニクスデバイスと再構成可能な論理回路”, 第67回応用物理学会学術講演会, 草津, 滋賀, August 29 - September 1, 2006, paper 31p-RD-1.
  174. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “エピタキシャル強磁性半導体Ge1-xFex薄膜の結晶性および磁性”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 24a-ZM-11, 【講演奨励賞受賞記念講演】.
  175. 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, “Silicon-on-snsulator (SOI) 基板上の強磁性Fe1-xSix薄膜の磁性と構造評価”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 24a-ZM-10.
  176. 七条真人, 菅原聡, 高木信一, “III-V on insulator (III-V-OI)MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 26p-X-2.
  177. 高木信一, 菅原聡, “III-V族化合物半導体n-MOSFETの電気特性の比較”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 26p-X-1.
  178. 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, “ひずみSi MOSFETのゲート トンネル電流に与えるひずみの効果”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 26a-x-7.
  179. 菅原聡, 中根了昌, 高木信一, “オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 25a-x-12.
  180. 上原貴志, 菅原聡, 高木信一, “低温MBE成長を用いた超薄膜Ge-on-insulator (GOI) p-channel メタルS/D MOSFET”, 第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, March 22-26, 2006, paper 25a-x-11.
  181. 熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, “Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価”, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」第11回研究会, 三島, 静岡, February 3-4, 2006, pp. 177-182.
  182. 菅原聡, “スピントランジスタ”, 応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会, 東京, December 8, 2005, pp. 70-79.
  183. 菅原聡, “スピン素子の現状と今後の展望”, 電気学会「超微細・低電力デバイス集積技術調査専門委員会」「超高速デバイス・回路技術調査専門委員会」合同調査専門委員会, 東京, December 1, 2005, paper (2).
  184. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “強磁性Ge1-xFex薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性”, 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島市, 徳島, September 7-11, 2005, paper 10a-ZQ-8.
  185. 矢田慎介, 田中雅明, 菅原聡, “アモルファスGe1-xMnx薄膜の磁性評価”, 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島市, 徳島, September 7-11, 2005, paper 10a-ZQ-7.
  186. 中根了昌, 田中雅明, 菅原聡, “Silicon-on-snsulator (SOI) 基板を用いた強磁性Fe1-xSixの作製と磁気特性”, 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島市, 徳島, September 7-11, 2005, paper 10a-ZQ-6.
  187. 熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, “Ge上薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性”, 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島市, 徳島, September 7-11, 2005, paper 8p-ZK-21.
  188. 菅原聡, 杉浦邦晃, 中根了昌, 田中雅明, “強磁性Fe1-xSixをショットキー・ソース/ドレインに用いたスピンMOSFETの作製”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 29a-YD-9.
  189. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “Ge(100)基板上にエピタキシャル成長したMnドープGe薄膜における強磁性の起源”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 30a-YD-11.
  190. 周藤悠介, 田中雅明, 菅原聡, “CrドープSi薄膜のエピタキシャル成長と磁性評価”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 30a-YD-10.
  191. 杉浦邦晃, 中根了昌, 菅原聡, 田中雅明, “強磁性金属-Si接合におけるショットキー障壁高さの評価”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 30a-YD-1.
  192. 高木信一, 熊谷寛, 西川昌志, 武田浩司, 菅原聡, “Ge系MOSトランジスタへの期待”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 30p-S-2.
  193. 武田浩司, 熊谷寛, 西川昌志, 菅原聡, 高木信一, “ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 31a-P5-26.
  194. 熊谷寛, 西川昌志, 武田浩司, 菅原聡, 高木信一, “SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響”, 第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，埼玉, March 29 - April 1, 2005, paper 1a-P6-28.
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  196. 菅原聡, 田中雅明, “強磁性半導体を用いたスピンMOSFET”, 第65回応用物理学会学術講演会, 仙台, 宮城, September 1-4, 2004, paper 4a-X-2.
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  198. 菅原聡, 李国梁, 田中雅明, “低温MBEによって成長したSi1-xMnx薄膜の磁性評価”, 第65回応用物理学会学術講演会, 仙台, 宮城, September 1-4, 2004, paper 3a-X-2.
  199. 李国梁, 田中雅明, 菅原聡, “低温MBE法によりSi(001)基板上に成長したMnドープGe薄膜の磁性評価”, 第65回応用物理学会学術講演会, 仙台, 宮城, September 1-4, 2004, paper 3a-X-3.
  200. 中根了昌, 近藤潤, 菅原聡, 田中雅明, “磁気力顕微鏡を用いた微小MnAs薄膜ドットの磁区観察”, 第65回応用物理学会学術講演会, 仙台, 宮城, September 1-4, 2004, paper 3p-X-8.
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  202. 菅原聡, 李国梁, 田中雅明, “低温MBEによって成長したMnドープSi薄膜の磁気特性”, 第51回応用物理学関係連合学術講演会, 八王子, 東京, March 28-31, 2004, paper 29a-ZK-9.
  203. 李国梁, 菅原聡, 田中雅明, “Si(001)基板上へのGe1-xMnx薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性”, 第51回応用物理学関係連合学術講演会, 八王子, 東京, March 28-31, 2004, paper 29a-ZK-10.
  204. 菅原聡, 田中雅明, “強磁性金属ソース/ドレインを用いたスピンMOSFET”, 第51回応用物理学関係連合学術講演会, 八王子, 東京, March 28-31, 2004, paper 30a-ZK-20.
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  208. 菅原聡, 田中雅明, “ハーフメタル・ソース/ドレインを用いたスピンMOSFETの理論解析”, 第64回応用物理学会学術講演会, 福岡, 福岡, August 30 - September 2, 2003, paper 30p-H-15.
  209. 松野知紘, 菅原聡, 田中雅明, “スピンMOSFETを用いたリコンフィギャラブル論理回路”, 第64回応用物理学会学術講演会, 福岡, 福岡, August 30 - September 2, 2003, paper 30p-H-16.
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  222. 菅原聡, 田中雅明, “完全エピタキシャルMnAs/AlAs/MnAs強磁性トンネル接合の結晶性改善”, 第49回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 神奈川, March 27-30, 2002, paper 29a-P10-13.
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  228. 菅原聡, 田中雅明, “MnAs/AlAs/MnAsエピタキシャル三層ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果”, 第62回応用物理学会学術講演会, 豊田, 愛知, September 11-14, 2001, paper 11p-YA-6．
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  231. S. Sugahara, and M. Tanaka, “Growth Characteristics and Magnetic Properties of MnAs/AlAs/MnAs Trilayer Heterostructures”, The 5th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 2001, p. 239.
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  233. 菅原聡, 田中雅明, “GaAs(111)B微傾斜基板上への強磁性MnAsのエピタキシャル成長”, 平成12年度東北大学電気通信研究所・共同プロジェクト研究会「半導体エピタキシャル成長の原子レベル制御に関する研究」, 仙台, 宮城, 2000.
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